不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): | 2000nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): | 31600pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 1250W |
安装类型: | 底座安装 |
包装: | 散装 |
系列: | - |
FET 类型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss): | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时): | 65A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值): | 145 毫欧 @ 32.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 10mA |
制造商: | Microsemi Power Products Group |
供应商器件封装: | 模块 |