您好,欢迎来到射频芯片网(WWW.RFGOO.CN)!

VND5E012AYTR-E ( MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 )

联系方式

  • 直线:
  • 0755-83268160
  • 传真:
  • 0755-83268186
  • QQ:
  • 点击这里给我发消息
  • QQ:
  • 点击这里给我发消息
  • QQ:
  • 点击这里给我发消息

微信报价

  • 商品名称:
    MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 商品型号:
    VND5E012AYTR-E
  • 品牌产地:
  • 封装规格:
  • 产品描述:
    IC DUAL HIGH SIDE DVR PWRSSO-36
  • PDF资料:
图片仅供参考,请以实物为准

热卖产品

相似产品

  • VND5E012AY-EMOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • VND5E012AY-E MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • VND5E012AYTR-EMOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • VND5E012AYTR-E MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • VND5E012MYTR-EMOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • VND5E012MYTR-E MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • VND5E012MY-EMOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • VND5E012MY-E MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
应用:  -
电流 - 峰值输出:  74A
电源电压:  4.5 V ~ 28 V
工作温度:  -40°C ~ 150°C
安装类型:  表面贴装
供应商设备封装:  PowerSSO-36
类型:  高端
评估套件:  -
输入类型:  非反相
输出数:  2
导通状态电阻:  11 毫欧
电流 - 输出:  -
电压 - 负载:  -
电流 - 输出 / 通道:  52A
制造商:  STMicroelectronics
封装/外壳:  PowerSSO-36 裸露底部焊盘