| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： | 781nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： | 26000pF @ 25V |
| 功率 - 最大值： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 包装： | 管件 |
| FET 类型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能： | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： | 45A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）： | 130 毫欧 @ 22.5A，10V |
| 制造商： | STMicroelectronics |
广东发展银行：
开户名：深圳市新思汇科技有限公司
账 号：1020 1651 601000 1651
开户行：广东发展银行深圳金谷支行
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