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HN1C01F-GR ( 晶体管(BJT) - 阵列 )

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  • 商品名称:
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 商品型号:
    HN1C01F-GR
  • 品牌产地:
  • 封装规格:
  • 产品描述:
    TRANS NPN 50V 150MA SM6
  • PDF资料:
图片仅供参考,请以实物为准

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电流 - 集电极截止(最大值):  100nA(ICBO)
功率 - 最大值:  300mW
频率 - 跃迁:  800MHz
安装类型:  表面贴装
系列:  -
晶体管类型:  2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):  150mA
电压 - 集射极击穿(最大值):  50V
制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage
供应商器件封装:  SM6