不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): | 1036nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): | 28000pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 833W |
安装类型: | 底座安装 |
包装: | 散装 |
FET 类型: | 2 个 N 通道(半桥) |
FET 功能: | 碳化硅 (SiC) |
漏源极电压 (Vdss): | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时): | 143A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值): | 18 毫欧 @ 71.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): | 3.9V @ 4mA |
制造商: | Microsemi Power Products Group |
供应商器件封装: | SP6 |