不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): | 1184nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): | 40800pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 1250W |
安装类型: | 底座安装 |
包装: | 散装 |
系列: | - |
FET 类型: | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源极电压 (Vdss): | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时): | 333A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值): | 5 毫欧 @ 166.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 8mA |
制造商: | Microsemi Power Products Group |
供应商器件封装: | SP4 |