不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): | 505nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): | 36000pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 830W |
安装类型: | 底座安装 |
包装: | 管件 |
FET 类型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能: | 标准 |
漏源极电压 (Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时): | 360A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值): | 2.6 毫欧 @ 180A,10V |
制造商: | IXYS |
供应商器件封装: | SOT-227B |