不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): | 270nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): | 6800pF @ 100V |
功率 - 最大值: | 250W |
安装类型: | 底座安装 |
包装: | 托盘 |
FET 类型: | 4 个 N 通道(H 桥) |
FET 功能: | 超级结 |
漏源极电压 (Vdss): | 900V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时): | 30A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值): | 120 毫欧 @ 26A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): | 3.5V @ 3mA |
制造商: | Microsemi Power Products Group |
供应商器件封装: | SP1 |